DRAM市场二季度价格趋势分析
据TrendForce集邦咨询调查，2025年第一季度DRAM库存去化加速。第二季度，预计一般型DRAM价格跌幅将收敛至0%至5%，而HBM3e均价预计上涨3%至8%。...
DRAM价格展望：Q2跌幅收敛，HBM3e均价季增
TrendForce集邦咨询调查显示，2025年Q1下游品牌厂提前出货应对国际形势变化，有助DRAM库存去化。Q2预计Conventional DRAM价格跌幅收敛至0%-5%，HBM3e均价预计季增3%-8%。...
DRAM市场展望：2025年第二季价格跌幅收敛，HBM3e助力均价季增
根据TrendForce集邦咨询调查，2025年第一季度DRAM库存去化加速。展望第二季度，一般型DRAM价格跌幅将收敛至0%至5%，而HBM3e逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。...
DRAM库存去化加速，二季度价格跌幅望收敛
TrendForce集邦咨询最新调查显示，2025年第一季度，DRAM供应链库存去化加速。预计第二季度，Conventional DRAM价格跌幅将收窄至0%至5%，若纳入HBM计算，均价将季增3%至8%。DRAM市场动态备受投资者关注，价格变化将对半导体行业产生影响。...
AI大模型驱动存储芯片市场复苏，HBM3E技术引领未来
AI大模型训练对内存带宽需求激增，传统DDR内存已无法满足。HBM3E技术通过3D堆叠实现高达819GB/s的带宽，较DDR5提升5倍以上。存储芯片行业正处技术创新与需求复苏期，2025年全球市场预计突破2300亿美元。...
