当前，存储市场正经历AI需求激增与消费终端市场疲软带来的产品需求分化。企业界与分析人士在接受财联社记者采访时，用“冰火两重天”来描绘存储市场的现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面企业级产品需求高涨，常接到客户催货电话；另一方面，模组厂商及其下游客户陷入“价格战”，出货量依然不振。

　　展望未来，多位受访者表示，这一趋势或将延续至明年。TrendForce集邦咨询分析预测，明年传统DRAM中，先进制程产品价格将保持稳定，而成熟制程产品则面临跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格将持续分化，整体价格预计年初下跌，年中后有望回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，三星、海力士等海外供应商正积极扩产，国产厂商亦在加速研发。

　　存储市场“冰火交织”

　　自2023年Q4起，存储行业进入强势涨价周期。TrendForce集邦咨询数据显示，DRAM价格从去年Q4至今年Q3连续四个季度飙升，季涨幅均超10%。然而，此次涨价主要源于原厂不堪亏损，而非需求大幅增长，导致本已低迷的消费级存储市场更加萎靡。

　　时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业呈现“冰火两重天”态势：消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上扬。

　　在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。三星电子与海力士Q3营收均实现增长，而模组厂商及部分客户因下游需求不振，开始价格战，出货量依然不畅，价格疲软。

　　以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨10.6%，但毛利率却下滑至11.7%。总裁卢伟冰称，这与内存价格高峰及产品发布节奏有关。因此，终端厂商减少存储备货，模组等中下游环节的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商Q3均出现净利润亏损。

　　近期，存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条跌幅逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，部分厂商将二手内存条拆成颗粒，以一般消费型内存出货，扰乱市场。

　　然而，在企业级存储方面，市场需求旺盛，段喜亭表示常接到客户催货电话，市场状况两极分化。

　　根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD预计单季增长0-5%，而NAND整体价格则预计下跌3-8%。段喜亭总结称，AI热潮目前主要集中于数据中心，尚未影响终端设备。

　　传统产品分化加剧，HBM前景明朗

　　倪黄忠预测，明年存储市场分化将依然严重，AI热度持续但价格将走低，消费类存储将回归健康状态。

　　传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，价格已呈跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求展望不明，价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM明年每季下跌3-8%。

　　NAND方面，今年价格整体上涨约43~48%，集邦咨询预计明年整体合约价上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。不过，涨价主要集中在下半年，Q2前NAND市场整体价格较为平稳。

　　相较于传统DRAM及NAND的困境，HBM因AI服务器需求而异军突起，维持强势。吴雅婷表示，HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计价格上涨10%；HBM3e12hi量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM需求量增长达117%。段喜亭直言，目前未见HBM替代品。

　　HBM即高带宽存储，属于DRAM大类，通过多层DRAM Die垂直堆叠实现小尺寸、高带宽、高传输速度。GPU进行大语言模型运算时，需大量数据运算，对存储资料吞吐量要求高，因此采用HBM。

　　目前，国产HBM尚未量产出货，但郭祚荣表示，国产HBM或将在2-3年内取得较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布HBM相关研发项目，并披露IPO辅导备案报告。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）