当前，存储市场正经历AI需求激增与消费终端市场疲软的双重影响，导致产品需求出现明显分化。多位企业及分析人士在接受财联社记者采访时，用“冰火两重天”来形容存储市场的现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面，企业级产品需求持续高涨，客户频繁询问出货时间；另一方面，模组厂商及其下游客户陷入“价格战”，出货量依旧不畅。

展望未来，受访者普遍认为这一趋势将延续至明年。TrendForce集邦咨询分析预测，明年传统DRAM中，先进制程产品价格将保持稳定，而成熟制程产品则面临跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格继续分化，整体价格预计年初下跌，年中后回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，三星、海力士等海外供应商正积极扩产，国产厂商亦在加速研发。

自2023年Q4起，存储行业进入强势涨价周期。以DRAM为例，TrendForce集邦咨询数据显示，从去年Q4至今年Q3，DRAM价格连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。然而，此次涨价主要源于原厂不堪亏损，而非需求大幅增长，导致本已低迷的消费级存储市场更加黯淡。

时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业呈现“冰火两重天”的态势。消费电子存储市场表现不佳，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上扬。在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。

三星电子今年Q3总营收同比增长17.3%，环比增长7%；海力士Q3营业收入环比增长7%，同比增长94%，创历史新高。然而，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出，在下游需求不畅的情况下，模组厂商及客户开始竞相降价，以图出货，导致价格疲软，出货量仍不顺畅。以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨10.6%，但毛利率却下滑至11.7%，总裁卢伟冰表示这与内存价格高峰及产品发布节奏有关。

此外，近期存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，一些厂商将二手内存条拆成颗粒，打成一般消费型内存出货，扰乱了市场秩序。然而，在企业级存储方面，需求持续旺盛，段喜亭透露常接到客户询问出货时间的电话。

根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3高达20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体价格则预计下跌3-8%。段喜亭总结道，AI的风目前仍停留在数据中心，尚未吹到终端设备。

对于明年市场展望，倪黄忠认为，分化趋势仍将持续，AI热度不减但价格将走低，消费类存储将回归健康状态。集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求前景不明，价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，在今年价格整体上涨约43~48%的情况下，集邦咨询预计明年整体合约价上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。然而，涨价主要集中在下半年，Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。相较于传统DRAM及NAND的困境，HBM因AI服务器需求而异军突起，维持强势。

吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨。整体来看，HBM需求量增长达到117%。段喜亭直言，目前尚看不到HBM的替代品。HBM作为高带宽存储，内部由多层DRAM Die垂直堆叠，通过硅通孔（TSV）技术实现与逻辑Die连接，实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

段喜亭解释称，GPU在做大语言模型运算时，对存储的资料吞吐量要求很高，单颗DRAM无法满足，因此需要使用堆叠而成的HBM。目前，已量产出货的HBM中未见国产厂商身影，但郭祚荣表示，2-3年内国产HBM或将取得较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布相关招标项目，表示将打造国产高带宽存储器(HBM)产品，并已披露IPO辅导备案报告。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）