眼下，存储市场正经历一场前所未有的变革，AI需求的持续高涨与消费终端市场的萎靡形成了鲜明对比，导致产品需求出现严重分化。企业界与分析人士在接受财联社记者采访时，纷纷用“冰火两重天”来形容当前存储市场的状态。

慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，一方面，企业级产品需求持续高涨，客户频繁询问出货时间；另一方面，模组厂商及其下游客户却陷入价格战，出货量依然不畅。

展望未来，多位受访者预测，这一趋势或将延续至明年。TrendForce 集邦咨询分析指出，明年传统DRAM中，先进制程产品价格预计保持稳健，而成熟制程则面临跌价风险；NAND方面，企业级与消费级产品价格将继续分化，整体价格预计年初下跌，年中后逐渐回暖。

值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，海外供应商如三星、海力士正积极扩产，而国产厂商亦在加速研发。

存储市场分化加剧

自2023年Q4起，存储行业进入强势涨价周期。TrendForce 集邦咨询数据显示，DRAM价格从去年Q4至今年Q3连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。然而，此次涨价并非由需求大幅增长推动，而是原厂不堪忍受长期亏损所致，导致本已低迷的消费级存储市场更加艰难。

时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业呈现“冰火两重天”的行情，消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储产品价格持续上涨。

在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现严重分歧。三星电子与海力士等原厂业绩持续增长，而模组厂商及部分客户因下游需求不畅，开始价格战，出货量依然不畅，价格疲软。

以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨10.6%，但毛利率却大幅下降。总裁卢伟冰在财报电话会上表示，这与内存价格高峰及产品发布时间有关。终端厂商减少存储备货，模组等中下游环节的国内存储商面临较大压力，如佰维存储(688525.SH)、江波龙（301308.SZ）等国产存储模组厂商Q3出现净利润亏损。

集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣指出，近期存储现货价格下跌严重，部分低容量内存条跌幅已逾40%，除需求不振外，还与一些厂商将二手内存条拆成颗粒，打成一般消费型内存出货有关，扰乱了市场。

然而，在企业级存储方面，市场需求依然旺盛。段喜亭表示，常接到客户电话询问出货时间，目前市场状况非常两极化。

根据集邦咨询数据，今年Q4，在经历了Q3至高20%的涨价后，企业级SSD仍预计单季增长0-5%，而NAND整体却预计在当季下跌3-8%。段喜亭总结道，AI的风目前还停留在数据中心，尚未吹到终端设备。

传统产品分化延续，HBM前景确定

倪黄忠认为，明年这种分化将继续存在，AI热度持续，但价格会下降；消费类存储将回归相对健康的状态。

传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，价格已呈现跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求展望尚不明确，价格不排除于今年第四季底开始下跌。集邦咨询预计传统DRAM在明年每季下跌3-8%。

NAND方面，今年价格整体上涨约43~48%，集邦咨询预计明年整体合约价上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。然而，涨价主要将在下半年发生，Q2之前NAND市场整体价格较为平稳。

相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境，HBM因AI服务器的需求而异军突起，维持强势。吴雅婷表示，目前HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计同产品价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨；整体来看，HBM的需求量增长达到117%。

段喜亭直言，目前还看不到HBM的替代品。HBM作为高带宽存储，内部由多层DRAM Die垂直堆叠，通过硅通孔技术实现与逻辑Die连接，实现小尺寸、高带宽、高传输速度的兼容。GPU在做大语言模型运算时，对存储的资料吞吐量要求很高，因此需要使用HBM。

虽然目前国产HBM尚未量产出货，但郭祚荣表示，国内厂商的研发能力足够，预计2-3年内国产HBM将有较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布相关招标项目，表示将利用三维集成多晶圆堆叠技术打造国产HBM产品，并已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告。

此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）