存储市场正经历一场前所未有的变革，AI需求的持续高涨与消费终端市场的萎靡形成了鲜明对比，导致产品需求严重分化。企业界与分析人士纷纷用“冰火两重天”来形容这一现状。慧荣科技(SIMO.US)CAS业务群资深副总段喜亭透露，企业级产品需求火爆，客户频频催促出货；而模组厂商及其下游客户则深陷“价格战”，出货依然不畅。

展望未来，多位受访者预测这一趋势将持续至明年。TrendForce集邦咨询分析指出，明年传统DRAM中，先进制程产品价格预计保持稳定，而成熟制程产品则面临跌价风险；NAND企业级与消费级产品价格继续分化，整体价格预计年初下跌，年中后回暖。值得注意的是，被视为GPU最佳存储解决方案的HBM芯片目前供不应求，三星、海力士等海外供应商正积极扩产，国产厂商亦在加速研发。

存储市场分化加剧

自2023年Q4以来，存储行业进入强势涨价周期。TrendForce集邦咨询数据显示，DRAM价格从去年Q4至今年Q3连续四个季度飙升，季涨幅均超过10%。然而，此次涨价并非由需求大幅增长推动，而是原厂不堪亏损所致，导致消费级存储市场更加低迷。

时创意董事长倪黄忠在集邦咨询存储产业趋势研讨会上表示，2024年存储产业呈现“冰火两重天”态势。消费电子存储市场表现低迷，智能手机、笔记本电脑市场旺季不旺；而AI对存储产品性能提出更高要求，推动高端存储价格持续上涨。在此背景下，下半年存储原厂与模组、终端厂商的盈利能力出现分化。

三星电子和海力士今年Q3业绩亮眼，营收大幅增长。然而，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭指出，下游需求不畅导致模组厂商及客户开始价格战，价格疲软，出货量依然不畅。以小米为例，今年Q3智能手机ASP上涨，但毛利率下滑，总裁卢伟冰称这与内存价格高峰期及产品发布节奏有关。

近期，存储产品现货价格下跌严重，部分低容量内存条跌幅超过40%。集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，除需求不振外，一些厂商将二手内存条拆成颗粒，以一般消费型内存出货，扰乱市场。而在企业级存储方面，需求火爆，客户频频催促出货。

传统产品分化延续，HBM前景确定

倪黄忠认为，明年存储市场分化依然严重。AI热度持续，但价格将有所回落；消费类存储将回归健康状态。传统DRAM方面，集邦咨询分析师吴雅婷表示，2025年DDR4和LPDDR4X价格已呈跌势；DDR5与LPDDR5X等先进制程产品需求前景不明，价格不排除于今年第四季底开始下跌。NAND方面，明年整体合约价预计上涨15~20%，主要得益于企业级SSD年涨23~28%的推动。

相较于传统DRAM及NAND的尴尬处境，HBM因AI服务器而异军突起，维持强势。吴雅婷表示，HBM部分供应商已完成合约价商谈，预计价格上涨10%；HBM3e12hi的量产将进一步带动均价上涨；整体需求量增长达到117%。段喜亭直言，目前还看不到HBM的替代品。HBM作为高带宽存储，内部由多层DRAM Die垂直堆叠而成，实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容，是AI服务器的理想存储解决方案。

目前，已量产出货的HBM中尚未见国产厂商身影，但郭祚荣表示，国产HBM或将在2-3年内取得较大突破。长江存储集团下的武汉新芯公司已发布HBM相关研发与产线建设项目，并已在湖北证监局披露IPO辅导备案报告。此外，长电科技（600584.SH）、芯碁微装(688630.SH)、通富微电（002156.SZ）等封装厂商均在布局支持HBM生产的相关技术。

（文章来源：财联社）