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联创超导成功研制出高温超导磁控硅单晶生长装备,填补我国在高端硅晶体制造领域多项空白,综合性能达国际领先,对实现“双碳”目标具有战略意义。该技术实现了大尺寸高品质硅单晶的生产,经济和社会效益显著。

  本报讯 (记者曹琦)据江西联创超导技术有限公司(以下简称“联创超导”)官微消息,近日公司“高温超导磁控单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”顺利召开。此次鉴定会由中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估,一致认定该技术填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白,综合性能达到国际领先水平,对实现“双碳”目标具有战略意义。

  针对高品质大尺寸硅单晶生长的技术瓶颈,联创超导首次将高温超导磁体技术应用于磁控直拉单晶生长,成功研制出高温超导磁控硅单晶生长装备,并形成了大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长工艺。这一创新技术实现了大尺寸(12吋以上)高品质硅单晶的生产,经济和社会效益显著。据悉,该装备可将硅片含氧量稳定控制在5ppma以下,硅棒头尾利用率提升4%以上,生产效率提升12%,目前已成功拉出直径达340mm的高品质硅棒。

  甘子钊院士在鉴定会中指出,这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长,为高温超导技术产业化做出了开创性的贡献,开辟了超导技术产业化新赛道。专家委员会认为,该项目解决了多项关键技术难题,取得了多项创新性技术成果,总体技术水平已达国际领先。

(文章来源:证券日报)