存储峰会透露:NAND闪存迈向300层时代,价格企稳在即
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MemoryS 2025存储峰会上,闪存市场总经理指出存储原厂资本支出重点转移,更先进封装和堆叠技术成竞争焦点。NAND闪存将进入300层时代,DRAM向更先进制程演进。现货市场预计NAND价格二季度企稳,三季度或回升。
人民财讯3月13日电,在日前MemoryS 2025存储峰会上,闪存市场总经理邰炜重要发言指出,财报数据揭示存储原厂资本支出重心转移,投产不再是首要考量,新增晶圆数量同比显著下滑。更先进封装技术和更高层数堆叠策略,正成为市场竞争的新焦点。据预测,今年NAND闪存将迈入300层以上时代,DRAM内存则向更先进制程迈进。此外,现货市场传来积极信号,预计今年第二季度NAND产品价格将率先趋于稳定,第三季度有望迎来全面回升。业内人士呼吁,行业应维持稳定合理的价格体系,促进健康发展。
(关键词:存储市场、NAND价格、DRAM制程、现货市场稳定)(文章来源:人民财讯)
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