甬兴证券:2024年四季度存储市场动态深度解析
AI导读:
甬兴证券发表观点,分析2024年四季度全球NANDFlash和DRAM市场规模及价格波动,提及三星计划推出“移动HBM”。市场端存储现货行情趋稳,部分低容量嵌入式产品涨价。
2月27日,甬兴证券发表观点,深度剖析存储市场:
NAND领域,2024年四季度全球NANDFlash市场规模达174.1亿美元,环比下滑8.5%,但同比增长高达42.4%。据DRAMexchange数据,上周(20250217-0221)NAND颗粒22个品类现货价格波动较小,平均涨跌幅仅为0.29%。其中,部分料号价格持平或上涨,但受eSSD采购需求放缓及移动、PC市场需求疲软影响,四季度NANDFlash的ASP和bit出货量均环比减少,所有原厂收入均环比下滑。
DRAM方面,2024年四季度全球DRAM市场规模达到293.45亿美元,环比增长13.5%,同比增长66.1%。尽管上周DRAM18个品类现货价格平均涨跌幅接近零(-0.07%),但AI服务器对HBM及高容量DDR5的需求持续旺盛,推动三星和SK海力士存储收入创历史新高。然而,消费类需求疲软导致传统DRAM销售收入下滑。整体来看,四季度DRAM ASP环比增长,但DRAM bit出货量环比下降。
此外,三星计划于2028年推出“移动HBM”。据科创板日报报道,三星电子半导体部门首席技术官透露,首款搭载LPWDRAM内存的移动产品将于2028年上市,其带宽可达200GB/s以上,较LPDDR5x提升166%。
市场端方面,存储现货行情趋稳,部分低容量嵌入式产品因供应短缺而涨价。渠道市场部分低端资源也出现涨价,但受制于需求疲软,SSD价格难以跟涨。整体来看,本周存储现货市场保持平稳。
(文章来源:财中社)
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