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杭州富加镓业在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，单晶质量达国际先进水平，推出相关设备及工艺包。测试数据表现优异，标志着公司在技术创新上取得重大飞跃。

记者从杭州光学精密机械研究所获悉，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大技术突破。经严格测试，其单晶质量已达到国际先进水平，并同步推出相关晶体生长设备及工艺包。测试数据显示，富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无任何孪晶，单晶衬底XRD半高全宽（FWHM）表现优异，低于50arcsec，与先进的导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当，性能稳居国际前沿。此外，衬底表面粗糙度（Ra）极低，小于0.2nm，弯曲度（Bow）仅为1.8μm，翘曲度（warp）为9.3μm，总厚度偏差（TTV）小于10.0μm，各项加工指标均满足4英寸碳化硅衬底产品的高标准要求。此次VB法装备的成功研制，标志着富加镓业在技术创新领域再次取得重大飞跃，继2024年5月国际首创导模法“一键长晶”技术后的又一里程碑。资料显示，富加镓业为衢州发展(600208)参股的高科技投资企业，展现出强劲的技术创新实力。

（文章来源：证券时报）