DRAM市场将迎来D1c世代，HBM产品性能卓越
AI导读：
TechInsights预测2025年第一季度将推出D1c产品，由SK海力士首发。D1c世代预计在2026-2027年主导市场，HBM产品性能卓越但价格高昂。未来AI和数据中心需更高内存容量，DRAM将迈入个位数纳米技术节点。
TechInsights平台发布最新报告指出，2025年第一季度，市场上将迎来D1c的一小部分产品，首发由SK海力士推出。预计在2026年和2027年，D1c世代将主导市场，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度分析，HBM产品，特别是HBM3和HBM3E，性能卓越但价格较高，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格亲民但性能稍逊。未来，AI和数据中心对单个裸晶的内存容量需求将大幅提升，如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前主流仍是16 Gb裸晶。为满足高密度DRAM芯片需求，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管（VCT）单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化。三星、SK海力士和美光等主要厂商正积极探索这些下一代DRAM缩放技术。当前市场上，D1a和D1b仍是主流产品。预计至2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
（文章来源：财联社）
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