新材料作为新型工业化的重要支撑，正成为国家大力发展的战略性新兴产业，对加快发展新质生产力、扎实推进高质量发展具有重要意义。近日，“新质生产力看北京”主题活动探访了两家在该领域取得突破的企业——北京晶格领域半导体有限公司（简称“晶格领域”）和北京中博芯半导体科技有限公司（简称“中博芯公司”）。

在半导体材料领域，碳化硅（SiC）以其优异的物理性能成为高压高功率器件和高频通信设备的核心材料。然而，传统制备技术存在成本高、扩展性差等问题。晶格领域采用液相法碳化硅单晶生长技术，成功解决了这些瓶颈，制备出P型及3C-N型碳化硅衬底产品。据晶格领域副总经理郭黛翡介绍，该技术具有高质量、低成本、易扩径等优势，适用于高压大功率器件及1200伏以下的碳化硅MOSFET器件，填补了市场空白，为碳化硅技术发展提供了有力支持。

晶格领域总经理张泽盛透露，公司已在北京顺义建成液相法SiC衬底中试线及小规模产线，预计至2025年初将具备年产2.5万片碳化硅衬底的生产能力，并规划布局年产27万片的规模化产线。碳化硅衬底已广泛应用于新能源车、高压变电站等领域，有效降低能量损失，提高续航能力，减小体积和质量。

与此同时，中博芯公司在氮化镓（GaN）半导体材料领域也取得了显著突破。氮化镓具有耐高压、耐高温、导通电阻低、开关频率高等优势，具备功率密度高、节能和成本低的产业优势。中博芯公司总经理张立胜介绍，公司技术源自北京大学宽禁带半导体研究中心，实现了6/8英寸Si衬底上GaN基功率电子、射频电子晶圆的批量生产。氮化镓功率电子器件可用于手机快充、新能源汽车、光伏储能等领域，射频器件可用于生产射频功放芯片和滤波器。

中博芯公司已与华为等知名企业达成合作，采用氮化镓射频芯片后，华为手机实现了芯片体积减小、信号处理能力增强等效果。为满足市场需求，中博芯公司投入超过一亿人民币建设生产车间，配备4条晶圆外延线，目前6-8英寸的晶圆年产能为1.5万片左右，未来有望扩大到3万片以上。中博芯公司还是国内率先实现6英寸氮化镓射频功放晶圆出口的企业，今年出口订单收益占到总收益的60%-70%。

此外，北京市政府正大力推动新材料产业发展。2023年9月，北京市政府办公厅印发《北京市促进未来产业创新发展实施方案》，布局包括未来材料在内的六大领域。2024年5月，“北京市新材料产业投资基金”获得市政府批复设立，整体规模100亿元，将投向电子信息材料、绿色能源材料、特种及功能材料、前沿新材料等重点领域。北京还建有多个国家级材料领域科技基础设施和平台，逐步形成海淀区为创新策源区，顺义、房山、大兴等为产业主要承载区的发展格局。

晶格领域和中博芯公司均获得了北京新材料产业投资基金的支持。晶格领域总经理张泽盛透露，公司已获得1.2亿元资金注入，这将加速产线建设、提升技术能力。中博芯公司总经理张立胜表示，顺义区拥有第三代半导体产业集群，公司将持续加大核心产品生产和研发投入，为第三代半导体产业国产替代做出贡献。

（文章来源：新京报）