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国产首款高压抗辐射碳化硅功率器件及其电源系统成功研制，并通过太空第一阶段验证，实现在轨应用，标志着我国在半导体材料应用领域取得重大进展。

证券时报e公司讯，功率器件被誉为电力电子系统的“心脏”，是实现电能高效变换与精准控制的核心组件，在国计民生各领域均有着极为基础且广泛的应用。作为关键的电子元器件，其核心技术研发及创新发展一直是业界关注的焦点。近日，来自中国科学院微电子研究所的突破性消息传来，该所刘新宇、汤益丹团队携手中国科学院空间应用工程与技术中心的刘彦民团队，经过深入合作，成功研制出我国首款高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其配套电源系统。

这款创新产品不仅标志着我国在高压抗辐射碳化硅功率器件领域取得了重大进展，更展示了国产功率器件在极端环境下的应用潜力。据悉，该器件及其电源系统已经顺利通过了太空第一阶段验证，并成功实现在轨应用，这为我国航天器及其他高端装备提供了更为可靠、高效的电能管理解决方案。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，具有出色的耐高温、耐高压、耐辐射等特性，是功率器件领域的重要发展方向。此次成功研制的国产高压抗辐射碳化硅功率器件，不仅提升了我国在半导体材料应用领域的核心竞争力，更为我国高科技产业的自主可控发展注入了强劲动力。

（文章来源：中国新闻网）