在推动第三代半导体商业化的征程中，日本厂商东芝再次迈出重要一步。东芝近日在其官方网站上正式宣布，其最新的第三代SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划于今年8月下旬正式投入量产。这款新产品采用了全新的器件结构，不仅具备低导通电阻的优势，而且与第二代产品相比，开关损耗降低了约20%。

回顾东芝的发展历程，第二代SiC MOSFET已于2020年8月成功量产。今年一季度，东芝宣布将内部生产用于功率半导体的SiC外延片，并投资高达55亿日元用于功率器件的扩产，其中包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。东芝表示，通过采用“外延设备+外延片+器件”的IDM模式，他们有望在未来进一步抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。

SiC（碳化硅）在高压、高功率应用场景下展现出了卓越的性能，尤其适用于600V以上的高压场景。因此，电动车及光伏等热门领域对SiC的需求极为旺盛。Wolfspeed、英飞凌以及意法半导体等多家国际知名企业已经相继宣布扩产计划。

从当前的市场竞争格局来看，海外龙头企业如Wolfspeed和II-VI已经占据了60%以上的市场份额，他们不仅实现了6英寸的规模化供应，还在向8英寸迈进。而国内厂家则主要聚焦于小尺寸产品，并逐步向6英寸产品进军。性价比是决定SiC器件能否大批量使用的关键因素，而衬底制备则是提升SiC性价比的核心环节，同时也是技术壁垒最高的部分。

近期，国内碳化硅衬底龙头天岳先进宣布签订了一项价值14亿元的大单。中金证券在近日发布的研报中指出，这一事件不仅在一定程度上反映了SiC器件渗透率的快速提升，以及产业链各环节市场规模有望迎来快速成长期，还显示出国内材料企业在N型SiC导电型衬底方面的技术实力和产能规模都在持续增强。SiC行业的落地进程在今年内已开始明显加速。

中金公司则表示，在新能源车、光伏发电等重点行业终端出货量快速增长的背景下，叠加SiC渗透率提升且短期内器件价格降幅有限的因素，预计2022-2024年将是SiC器件市场规模增速最快的三年周期。尽管中国相关供应商起步较晚，但得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额的提升，国内企业已经获得了宝贵的入场机会。国内SiC器件供应商有望把握本土化机遇，复制硅基IGBT时代的辉煌。具备全产业一体化（材料、制造、封测）能力的企业将在竞争中占据更大的优势。建议关注三安光电、斯达半导、华润微等上市公司以及部分技术领先的未上市企业。

（图片及文章来源：财联社）